12月3日(水) AndTech「酸化ガリウムパワー半導体 最新技術 ～材料育成・欠陥評価・薄膜成長・デバイス開発動向～」WEBオンラインZoomセミナーを開催予定

　株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山　正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、酸化ガリウムパワー半導体の第一人者の講師からなる「酸化ガリウムパワー半導体 最新技術 ～材料育成・欠陥評価・薄膜成長・デバイス開発動向～」講座を開講いたします。

　酸化ガリウムはSiC・GaNに続く次々世代パワー半導体として期待され、転位など結晶欠陥の三次元可視化技術が高性能デバイス実現の鍵となる。本講演では、非破壊で内部欠陥を立体的に捉える新光学イメージング法とX線トポグラフィー比較、転位形状解析、さらに大口径ウェハ高速検査への展望を示すとともに、Ga₂O₃の材料特性、応用領域、最新のデバイス研究開発動向について解説します。

本講座は、2026年12月3日開講を予定しております。

詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1f1be173-bc68-6c6c-ab10-064fb9a95405

• Live配信・WEBセミナー講習会　概要

テーマ：酸化ガリウムパワー半導体 最新技術 ～材料育成・欠陥評価・薄膜成長・デバイス開発動向～

開催日時：2026年12月3日（木）13:00-16:50                                   

参 加 費：60,500円（税込） ※ 電子にて資料配布予定

U　R　L ：https://andtech.co.jp/seminars/1f1be173-bc68-6c6c-ab10-064fb9a95405

WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）

• セミナー講習会内容構成

　ープログラム・講師ー

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第1部　次世代パワー半導体酸化ガリウムの欠陥三次元イメージング技術開発

講師：一般財団法人ファインセラミックスセンター　機能性材料G/特任主幹研究員                                        石川　由加里　氏

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第2部　ミストCVDによる酸化ガリウムの結晶多形制御

講師：京都工芸繊維大学　電気電子工学系 / 教授                                       

　　　　西中　浩之　氏

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第3部　酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開

講師：大阪公立大学　大学院工学研究科 / 教授                                       

　　　　東脇　正高   氏

• 本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題

　・酸化ガリウム（β‑Ga₂O₃）が次世代パワー半導体として注目される理由と材料特性
　・転位などの結晶欠陥がデバイス性能・信頼性に与える影響と、その重要性
　・非破壊・三次元で欠陥を可視化する新しい光学イメージング技術の原理と優位性
　・Ga₂O₃エピタキシャル薄膜成長技術 
　　（MOCVD・HVPE・MBEなど、デバイス性能を左右するコア技術）
　・Ga₂O₃パワーデバイス（MOSFET / SBD） の研究開発状況と実用化への課題・展望
　　

• 本セミナーの受講形式

　WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。

　詳細は、お申し込み後お伝えいたします。

• 株式会社AndTechについて

　化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。

　弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。

　クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。

　　https://andtech.co.jp/

• 株式会社AndTech　技術講習会一覧

一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。

https://andtech.co.jp/seminars/search

• 株式会社AndTech　書籍一覧

選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。

https://andtech.co.jp/books

• 株式会社AndTech　コンサルティングサービス

経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。

https://andtech.co.jp/business-consulting

• 本件に関するお問い合わせ

株式会社AndTech　広報PR担当 青木

メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）

• 下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）

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第1部　次世代パワー半導体酸化ガリウムの欠陥三次元イメージング技術開発

【講演主旨】

　次世代パワー半導体として期待される酸化ガリウムでは、高性能・高信頼性デバイスの実現に向けて、結晶中に存在する転位などの欠陥を正確に把握することが重要です。本講演では、従来は観察が難しかった結晶内部の欠陥を、試料を壊すことなく三次元的に可視化する新しい光学イメージング技術について紹介します。放射光X線トポグラフィーとの比較による検証例や、転位の立体的な形状・傾きを捉えた結果を示しながら、将来の大口径ウエハ全面・高速検査への展開についてもわかりやすく解説します。

【プログラム】

　1 β-Ga2O3パワー半導体と結晶欠陥

　2 結晶欠陥評価の従来技術

　3 位相差顕微鏡による転位観察

　4 β- Ga2O3転位の高速・高分解能イメージング

　5 転位の三次元イメージング

　6 ナノスケール表面欠陥への展開

　7 ウエハ全面検査への展開

　8 今後の展望

　質疑応答

【講演の最大のPRポイント】

　従来は困難だった酸化ガリウム内部の転位・欠陥を、試料を壊さず三次元で観察できる革新的イメージング技術を確立。ウエハ全面検査や高信頼性デバイス開発へ直結する実用性を解説します。

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第2部　ミストCVDによる酸化ガリウムの結晶多形制御

【講演主旨】

　電気エネルギーの効率的な消費（消費電力エネルギーの削減）に向けて、電力制御に用いられるパワー半導体デバイスの役割が一つのカギを握ります。すなわち、パワー半導体デバイス自体で消費されるエネルギーが小さい、電力制御を効率的に行うことができる、といった特徴が求められます。Siに変わり、次世代半導体と呼ばれたSiC、GaNがこの特徴に叶う半導体材料として活発な研究が行われ、前者は電動自動車や電車、後者は電源アダプター等に実用化が進んできました。その意味では、もはや「次世代」半導体と言えないかもしれません。今後、さらに幅広い電力分野への適用、例えば10kV以上の電力機器や発送配電設備等での利用に向けて、次々世代半導体と呼ばれ、次世代半導体よりもバンドギャップの大きい半導体、例えば酸化ガリウム(Ga2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、ダイヤモンド等への期待が高まっています。

　→本セミナーは、これらの中で注目されているGa2O3に焦点を当て、その特徴と開発の動向をについて具体的なお話をお伺いするものです。

【プログラム】

　1. 酸化ガリウムの基礎物性
　　1.1 酸化ガリウムのデバイス構造からみた開発のポイント
　　1.2 酸化ガリウムの結晶多形

　2. ミストCVD法
　　2.1 ミストCVD法の原理

　3. ミストCVDによる結晶多形制御
　　3.1　β相でのミストCVDの適用例（混晶と不純物添加）
　　3.2　α相でのミストCVDの適用例（混晶と不純物添加）
　　3.3　κ相でのミストCVDの適用例（混晶と不純物添加）
　　3.3　γ相、δ相のミストCVDの適用例

　4. まとめ

　質疑応答

【講演者の最大のPRポイント】

　講演者は5つの酸化ガリウムの結晶多形の制御に唯一成功している。ミストCVDを用いて様々な酸化物半導体を扱っており、その経験を活かした結晶成長制御技術について解説する。

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第3部　酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開

【講演主旨】

　酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのエピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。

【プログラム】

　1. Ga2O3の物性、材料的特長

　2. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術の研究開発状況

　3. Ga2O3トランジスタの研究開発状況

　4. Ga2O3ショットキーバリアダイオードの研究開発状況

　5. まとめ、実用化への展望

　質疑応答

【講演の最大のPRポイント】

　SiCやGaNが抱える基板の大口径化の難しさ、製造コストの高さ、欠陥密度の課題を、 Ga₂O₃は融液成長法で一気に解決できます。しかも 臨界電界が高く、デバイスの高耐圧化に直結する材料物性を持つため、材料物性と産業化の両面で“実用化しやすい超広帯域ギャップ材料”という強みがあります。その“超広帯域ギャップ材料でありながら、大口径・高品質基板を安価に量産できる唯一の次世代パワー半導体”の特徴を解説します。

＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。

＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。

以　上