PRESS RELEASE 調査・レポート 2026/08/04 09:30

マルチチップパッケージGaN急速充電ICの世界市場（2026年～2032年）、市場規模（コントローラー＋ドライバー＋GaN、ドライバー＋GaN、ドライバー＋2*GaN、ドライバー＋保護機能＋GaN）・分析レポートを発表

株式会社マーケットリサーチセンターが@Pressで配信したプレスリリースの原文を、Zero Press が転載して掲載しています。

株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「マルチチップパッケージGaN急速充電ICの世界市場（2026年～2032年）、英文タイトル：Global Multi-chip Package GaN Fast Charging ICs Market 2026-2032」調査資料を発表しました。本資料には、マルチチップパッケージGaN急速充電ICの世界市場規模、市場動向、セグメント別予測（コントローラー＋ドライバー＋GaN、ドライバー＋GaN、ドライバー＋2*GaN、ドライバー＋保護機能＋GaN）、関連企業の情報などが盛り込まれています。

主な掲載内容

世界のマルチチップパッケージGaN急速充電IC市場規模は、2025年の5億2,000万米ドルから2032年には8億5,300万米ドルに拡大すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）7.5%で成長すると見込まれています。

マルチチップパッケージGaN急速充電ICとは、窒化ガリウム（GaN）技術を採用し、マルチチップ構成でパッケージ化された、急速充電システムに使用される集積回路（IC）を指します。これらのICは、スマートフォン、ノートパソコン、電気自動車などのデバイスを急速に充電するために、電力供給を管理・最適化するよう設計されています。

米国のマルチチップパッケージGaN急速充電IC市場は、2025年のXX百万米ドルから2032年にはXX百万米ドルへと拡大し、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）XX％で成長すると推定されています。

中国のマルチチップパッケージGaN急速充電IC市場は、2025年のUS$百万から2032年にはUS$百万に拡大し、2026年から2032年までのCAGRは%になると推定されています。

欧州のマルチチップパッケージGaN急速充電IC市場は、2025年のXX百万米ドルから2032年にはXX百万米ドルへと拡大し、2026年から2032年までのCAGRはXX％になると推定されています。

マルチチップパッケージGaN急速充電ICの世界的な主要企業には、PI、インフィニオン・テクノロジーズ、トランスフォーム、STマイクロエレクトロニクス、テキサス・インスツルメンツなどが含まれます。売上高ベースでは、2025年に世界トップ2社が市場シェアの約％を占めました。

「マルチチップパッケージGaN急速充電IC業界予測」では、過去の売上高を検証し、2025年の世界のマルチチップパッケージGaN急速充電IC総売上高を分析するとともに、2026年から2032年までの予測売上高について、地域および市場セクター別の包括的な分析を提供しています。本レポートでは、マルチチップパッケージGaN急速充電ICの売上高を地域、市場セクター、サブセクター別に分類し、世界のマルチチップパッケージGaN急速充電IC業界について、百万米ドル単位で詳細な分析を提供しています。

本インサイトレポートは、世界のマルチチップパッケージGaN急速充電IC市場の全体像を包括的に分析し、製品セグメンテーション、企業動向、売上高、市場シェア、最新の開発動向、およびM&A活動に関連する主要なトレンドを明らかにします。また、本レポートでは、マルチチップパッケージGaN急速充電ICのポートフォリオと能力、市場参入戦略、市場での位置づけ、および地理的展開に焦点を当て、世界的なマルチチップパッケージGaN急速充電IC市場の加速化の中で、主要グローバル企業の独自の立場をより深く理解するために、それらの戦略を分析しています。

本インサイトレポートは、マルチチップパッケージGaN急速充電ICの世界的な見通しを形作る主要な市場動向、推進要因、および影響要因を評価し、タイプ別、用途別、地域別、市場規模別に予測を分析することで、新たな機会の領域を浮き彫りにします。数百件に及ぶボトムアップ型の定性的・定量的市場データに基づく透明性の高い方法論を用いることで、本調査の予測は、世界のマルチチップパッケージGaN急速充電IC市場の現状と将来の動向について、極めて精緻な見解を提供します。

本レポートでは、製品タイプ、用途、主要メーカー、主要地域および国別に、マルチチップパッケージGaN急速充電IC市場の包括的な概要、市場シェア、成長機会を提示しています。

タイプ別セグメンテーション：

コントローラー＋ドライバー＋GaN

ドライバー＋GaN

ドライバー＋2*GaN

ドライバー＋保護回路＋GaN

用途別セグメンテーション：

電子機器

通信機器

電気自動車用充電器

産業用電源

その他

本レポートでは、地域別にも市場を分類しています：

南北アメリカ

米国

カナダ

メキシコ

ブラジル

アジア太平洋地域（APAC）

中国

日本

韓国

東南アジア

インド

オーストラリア

欧州

ドイツ

フランス

英国

イタリア

ロシア

中東・アフリカ

エジプト

南アフリカ

イスラエル

トルコ

GCC諸国

以下に紹介する企業は、主要な専門家からの情報および各社の事業範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透度を分析した上で選定されています。

インフィニオン・テクノロジーズ

トランスフォーム

STマイクロエレクトロニクス

テキサス・インスツルメンツ

エレベーション

イノサイエンス

ドンケ

ナビタス・セミコンダクター

サウスチップ・セミコンダクター・テクノロジー

MIX-DESIGN SEMICONDUCTOR Technology

HYSIC

キウイ・インスツルメンツ

チップオウン

無錫SI-POWERマイクロエレクトロニクス

深セン成新微電子

SPMICRO

Lii Semiconductor

Shenzhen Chuangxin Weiwei Electronics

REACTOR

Leadtrend

JoulWatt Technology

ETA Semiconductor

Meraki

Shenzhen Taigao Technology

CPS

本レポートで取り上げる主な質問

世界のマルチチップパッケージGaN急速充電IC市場の10年先の見通しは？

世界全体および地域別に、マルチチップパッケージGaN急速充電IC市場の成長を牽引している要因は何か？

市場および地域別に、最も急速な成長が見込まれる技術はどれか？

エンド市場の規模によって、マルチチップパッケージGaN急速充電IC市場の機会はどのように異なるか？

マルチチップパッケージGaN急速充電ICは、タイプ別、用途別にどのように分類されるか？

各チャプターの構成

第1章には、マルチチップパッケージGaN急速充電IC市場の紹介、調査の対象期間、目的、採用された市場調査方法、調査プロセス、データソース、考慮された経済指標、使用通貨、および市場推定における注意点などが記載されています。

第2章には、マルチチップパッケージGaN急速充電ICの世界市場概要が収録されており、2021年から2032年までの年間販売量、2021年、2025年、2032年における地域別および国/地域別の現在および将来の分析が含まれています。さらに、Controller+Driver+GaN、Driver+GaN、Driver+2*GaN、Driver+Protection+GaNなどのタイプ別の市場セグメントの詳細な分析が示されており、2021年から2026年までの販売市場シェア、収益および市場シェア、販売価格がタイプ別に詳述されています。また、電子機器、通信機器、電気自動車充電器、産業用電源などの用途別の市場セグメントについても同様に、2021年から2026年までの販売市場シェア、収益および市場シェア、販売価格が用途別に分析されています。

第3章には、企業別のマルチチップパッケージGaN急速充電IC市場の詳細な分析が示されています。これには、2021年から2026年までの企業別年間販売量および販売市場シェア、年間収益および収益市場シェア、販売価格が含まれます。また、主要メーカーの生産地域分布、販売地域、提供する製品タイプ、および市場集中度分析（競争状況分析と2024年から2026年までのCR3, CR5, CR10集中度比率）が詳述されています。さらに、新製品の動向、潜在的な新規参入企業、市場におけるM&A活動と戦略についても考察されています。

第4章には、マルチチップパッケージGaN急速充電ICの世界市場の歴史的レビューが地域別にまとめられています。2021年から2026年までの地域別および国/地域別の年間販売量と年間収益に基づいた市場規模の推移が詳細に分析されています。特に、アメリカ、APAC、ヨーロッパ、中東およびアフリカ各地域の販売成長動向が示されています。

第5章には、アメリカ地域のマルチチップパッケージGaN急速充電IC市場について、2021年から2026年までの国別（米国、カナダ、メキシコ、ブラジルなど）の販売量と収益、タイプ別の販売、および用途別の販売に関する詳細なデータが分析されています。

第6章には、APAC地域のマルチチップパッケージGaN急速充電IC市場について、2021年から2026年までの地域別（中国、日本、韓国、東南アジア、インド、オーストラリア、中国台湾など）の販売量と収益、タイプ別の販売、および用途別の販売に関する詳細なデータが分析されています。

第7章には、ヨーロッパ地域のマルチチップパッケージGaN急速充電IC市場について、2021年から2026年までの国別（ドイツ、フランス、英国、イタリア、ロシアなど）の販売量と収益、タイプ別の販売、および用途別の販売に関する詳細なデータが分析されています。

第8章には、中東およびアフリカ地域のマルチチップパッケージGaN急速充電IC市場について、2021年から2026年までの国別（エジプト、南アフリカ、イスラエル、トルコ、GCC諸国など）の販売量と収益、タイプ別の販売、および用途別の販売に関する詳細なデータが分析されています。

第9章には、マルチチップパッケージGaN急速充電IC市場の成長を推進する要因と成長機会、市場が直面する課題とリスク、および現在の業界トレンドに関する詳細な分析が記載されています。

第10章には、マルチチップパッケージGaN急速充電ICの製造コスト構造が分析されており、原材料とそのサプライヤー、製品の製造コスト構造、製造プロセス、および産業チェーン構造に関する詳細な情報が提供されています。

第11章には、マルチチップパッケージGaN急速充電ICのマーケティング戦略、流通業者、および顧客に関する情報がまとめられています。具体的には、直接および間接販売チャネル、主要な流通業者、およびターゲットとなる顧客層が詳述されています。

第12章には、マルチチップパッケージGaN急速充電ICの世界市場予測が地域別にまとめられています。2027年から2032年までの期間における地域別および国/地域別の市場規模（販売量と収益）の予測、アメリカ、APAC、ヨーロッパ、中東およびアフリカの各地域における国別の予測が提示されています。また、タイプ別および用途別のグローバル予測も詳細に示されています。

第13章には、PI、Infineon Technologies、Transphorm、STMicroelectronics、Texas Instruments、Elevation、Innoscience、DONGKE、Navitas Semiconductor、Southchip Semiconductor Technology、MIX-DESIGN SEMICONDUCTOR Technology、HYSIC、Kiwi Instruments、Chipown、Wuxi SI-POWER MICRO-ELECTRONICS、Shenzhen Chengxin Micro Technology、SPMICRO、Lii Semiconductor、Shenzhen Chuangxin Weiwei Electronics、REACTOR、Leadtrend、JoulWatt Technology、ETA Semiconductor、Meraki、Shenzhen Taigao Technology、CPSといった主要なマルチチップパッケージGaN急速充電ICメーカー各社の詳細な分析が含まれています。各企業について、企業情報、製品ポートフォリオと仕様、2021年から2026年までの販売量、収益、価格、粗利益、主要事業概要、および最新の動向が詳述されています。

第14章には、レポート全体で得られた調査結果と結論がまとめられています。

マルチチップパッケージGaN急速充電ICについて

マルチチップパッケージGaN急速充電ICは、次世代の充電技術を支える重要なコンポーネントです。これらのICは、従来のシリコンベースの技術に比べて高効率かつコンパクトで、高出力な電力変換を実現します。GaN、すなわち窒化ガリウムは、広いバンドギャップを持つ半導体材料で、より高い電圧と温度で動作することが可能です。この特性により、GaNを用いたICは非常に高いスイッチング周波数を持ち、熱発生を抑えつつも高出力を提供することができます。

マルチチップパッケージは、複数の半導体チップを一つのパッケージ内に組み込む技術です。これにより、異なる機能を持つチップを集約し、システム全体のサイズを小型化しながら、相互接続の効率も向上させます。たとえば、一つのパッケージ内にGaN FET（フィールド効果トランジスタ）やドライバIC、制御ICなどを統合することで、充電回路全体を一元化し、信号の遅延を抑え、反応速度を高めることができます。

GaN急速充電ICは主にスマートフォン、タブレット、ノートパソコン、電動工具、さらには電気自動車などの多様な用途で使用されています。これらのデバイスは、短時間で効率的に充電することが求められており、GaN技術はそのニーズを満たします。特に、急速充電規格であるUSB Power Delivery（USB PD）やQualcomm Quick Chargeなどに対応した製品が多く、市場での需要が高まっています。

さらに、GaN急速充電ICは非常に高効率であるため、エネルギー損失が少なく、発熱の問題も軽減されます。この結果、冷却システムの設計が簡素化されるため、デバイスの全体的な設計もより柔軟になります。加えて、高い出力密度を実現できるため、充電器の体積を小さく保ちながら、大きな出力を維持することが可能です。

関連技術としては、GaN基板技術があります。従来のシリコン基板に比べ、GaN基板は熱伝導性が良く、高温環境でも安定して動作することが可能です。これにより、高い耐圧や高い電流を処理する能力を備え、さらに高出力デバイスの実現が期待されます。また、GaN技術を活用した静電気放電（ESD）耐性や過電流保護機能も進化しており、デバイスの安全性を高める役割を果たしています。

今後の展望として、マルチチップパッケージGaN急速充電ICは、IoT機器やエネルギー管理システムなど、より多様な用途に進出することが期待されています。特に、再生可能エネルギーやスマートグリッドの普及に伴い、高効率な電力変換が求められる場面が増えるでしょう。これにより、GaN技術はますます重要性を増し、幅広い業界における革新を促進すると考えられます。

充電インフラの進化とも相まって、マルチチップパッケージGaN急速充電ICは、テクノロジーの進化を象徴する存在として、電力供給の未来を切り開いていく役割を果たすでしょう。このように、マルチチップパッケージGaN急速充電ICは、効率性、コンパクトさ、安全性を兼ね備えた優れたデバイスであり、今後の技術発展に大きく寄与することが期待されています。充電技術のさらなる進化を通じて、私たちのライフスタイルにおける便利さと快適さが向上していくことを願っています。